当前位置： 抛光 >> 抛光优势 >> 抛光工艺中硅溶胶的影响因素
①温度：温度升高，加强了抛光液化学反应能力，抛光速率增加。但过高的温度会引起抛光液的挥发，以及加快化学反应，表面腐蚀严重，因而会产生不均匀的抛光效果，使抛光质量下降。②pH值：抛光液的pH值越高，碱性越强，反应速率越快。但pH值对被抛表面刻蚀、磨料的分解与溶解度、抛光液的稳定性有很大的影响，从而影响材料的去除率和表面质量，因此应严格控制。③压力：一般地，压力越大，抛光速率越快。但是压力足够大时，抛光速率会略微下降，原因是压力大，抛光垫承载抛光液能力下降。另外，压力大易形成破片现象。④转速：转速增加，会引起抛光速率增加。但转速过高又会使抛光液在抛光垫上分布不均匀，影响抛光质量。⑤抛光液浓度：抛光液的浓度增加时，去除率也随之增加，但当磨粒浓度超过某一值时，材料去除率将停止增加，维持一个常数值，这种现象称为去除饱和。而且过高的浓度，有可能造成表面缺陷(划痕)增加，影响表面质量。
?抛光垫的应用抛光垫是一种具有一定弹性，而疏松多孔的材料，常见的是聚氨酯类材料。抛光垫与抛光液协同作用，相互配合，才能完成抛光工作。抛光垫主要作用有：①存储和传输抛光液；②提供稳定的抛光压力；③对工件表面机械摩擦。纳米二氧化硅抛光液的性能指标对抛光工艺的影响纳米二氧化硅抛光液的性能指标会对抛光工艺产生不同的影响：①抛光液中纳米二氧化硅胶粒的粒径及分布——影响粗糙度、摩擦力。②抛光液的pH值——影响腐蚀速率。③抛光液分散的稳定性——使抛光液不团聚。④抛光液的粘度——影响抛光液的流动性。纳米二氧化硅抛光液的各组分作用纳米二氧化硅抛光液广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。如：不锈钢、铝合金、化合物晶体、精密光学器件等的表面精密抛光加工。纳米二氧化硅抛光液的主要成分是硅溶胶，还添加有pH调节剂、表面活性剂、氧化剂、分散剂等。各组分的主要作用如下：①纳米二氧化硅胶粒：机械摩擦，吸附腐蚀产物；②pH调节剂：在抛光中进行腐蚀、和某些成分形成络合物而将其除去；③氧化剂：加快腐蚀速率，提高去除率；④分散剂：分散不溶性颗粒，防止聚集沉淀。纳米二氧抛光液的抛光原理
?纳米二氧化硅抛光液的抛光过程是在抛光机上实现的，如上图所示，在抛光过程中抛光垫和工件相对做旋转运动，抛光液（磨料）在旋转的抛光垫与工件之间流动，在一定压力、温度和转速作用下，发生化学机械抛光过程-简称CMP(ChemicalMechanicalPolishing)，因此抛光过程是在化学的和机械的综合作用下，使工件表面平整化（抛光）。在抛光过程中，抛光液的主要作用：①抛光作用，通过研磨、腐蚀、吸附反应物来实现。②润滑作用。③冷却降温作用。④冲洗排渣作用。
?硅溶胶在抛光中的应用纳米二氧化硅抛光液是以硅溶胶为主要原料，经过特殊工艺生产的一种抛光产品，广泛用于多种材料表面的平坦化抛光，如电子产品的金属外壳、手机摄像头玻璃、Home键、计算机硬盘盘片、硅晶片等表面的抛光加工。纳米二氧化硅抛光液的抛光过程是在抛光机上实现的，在抛光过程中抛光垫和工件相对做旋转运动，抛光液（磨料）在旋转的抛光垫与工件之间流动，在一定压力、温度和转速作用下，发生化学机械抛光过程-简称CMP(ChemicalMechanicalPolishing)，因此抛光过程是在化学的和机械的综合作用下，使工件表面平整化（抛光）。在抛光过程中，抛光液的主要作用是：①抛光作用，通过研磨、腐蚀、吸附反应物来实现；②润滑作用；③冷却降温作用；④冲洗排渣作用。硅溶胶是纳米抛光液的重要组成部分，其粒径、粒子形态、粒径分布、浓度、pH和杂质含量会直接影响抛光材料表面去除率和表面粗糙度或波纹度之间的平衡，进而影响材料表面的抛光质量。如下图所示。可以生产多种特性的硅溶胶抛光液。
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