化学机械抛光，也称CMP(ChemicalMechanicalPlanarization)，又称化学机械平坦化，主要应用在半导体制程中，晶圆在制造过程中不断经过沉积、曝光、显影、蚀刻，而推砌出一层层的微电路，每一层就会利用这样的抛光方式让表面平坦，才能让积体电路的品质更高，今天就简单介绍这项加工方式的原理及基本的部件吧！

■深入介绍：

化学沉积抛光应用的厂家很多，大部分晶圆代工厂如联电、台积电等等都有在使用CMP制程，研磨时合并化学及机械的移除力，将表面多余的东西移除，而其中有3个重要的耗材：

◆CMPSlurry(研磨浆液)

其中含有化学物质及磨粒，化学物质负责氧化、腐蚀、保护工件的功能，磨粒就是负责机械力移除的部分，那些被化学物质软化的部分，就会由磨粒来进行移除。

◆CMPPad(研磨垫)

在CMP制程中，工件会被直接压在研磨垫上进行研磨，同时研磨浆液也会在表面不断流动，由此可知，这样的部件就有如无心研磨中的调整轮，辅助砂轮完成研磨，其软硬度、表面样貌、沟槽样貌等都会影响研磨的最终结果，可说是非常重要的角色。

◆CMPDisk(钻石碟)

又称CMPConditioner，最主要的功能就是对研磨垫表面的修整，就好像砂轮的修整器，前面也有提到研磨垫对研磨结果的影响，所以修整也是非常重要的一环，修整不完全，研磨的结果就会差强人意，是需要注重的。

■应用：

CMP的研磨制程分为四部

■总结：

这样的加工方式，与研磨的基础概念很相似，且应用极广，需要极为精细的控制，包括机台的参数及耗材的控制，都需要时间累积经验并不断优化，虽然会有缺点，但整体来说这样的加工方式还是优点大于缺点的，今天与大家分享一些关于现在正夯的加工方式，希望大家能够对于研磨产业有更多的认识。

※以上是SEYA生尧砥研的分享，若对砂轮、调整轮的选择与搭配，或研磨相关技术有任何问题，欢迎与我们联络与咨询！

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