书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：刷洗清洗过程中的颗粒去除机理

编号：JFKJ-21-

作者：炬丰科技

引言

化学机械抛光是实现14纳米以下半导体制造的最重要工艺之一。此外，化学机械抛光后缺陷控制是提高产量和器件可靠性的关键工艺参数。由于亚14纳米节点结构器件的复杂性，化学机械抛光引起的缺陷需要固定在化学机械抛光原位清洗模块中，而不是在后原位湿法清洗过程中。因此，化学机械抛光后的原位清洗优化和清洗效率的提高在化学机械抛光后的缺陷控制中起着举足轻重的作用。化学机械抛光原位清洁模块通常由兆频超声波和刷式洗涤器工艺组成。在化学机械抛光清洁模块中，优化清洁化学物质和刷式洗涤器清洁越来越受

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