日本HAMAI全自动打磨机/双面减溥机/抛光机/研磨机适用于：硅片-半导体-晶体介绍

硅片研磨工艺简介

硅片研磨工艺是指通过机械双面研磨去除切割工艺造成的锯痕，减少硅片表面的损伤层（Su**ceDa**ge）双面研磨机是有效提高硅片平整度和表面粗糙度的工艺：

双面研磨机

双面研磨机的工作原理是行星车辆的外齿圈与中心轮的外齿圈和下研磨盘外径端的内齿圈啮合，并随中心轮旋转。硅片放置在行星车辆孔中，随车辆旋转，上下研磨盘旋转，施加一定的研磨压力。行星车辆在上下研磨盘之间随行星轮旋转，并浇筑氧化铝、水制成的研磨浆。磨削阻力小，不损坏工件，两侧均匀磨削生产效率高。有光栅厚度控制系统，加工后产品厚度公差可控。双面研磨机的重要组成部分包括球墨铸铁研磨板、车辆和研磨浆料机。球墨铸铁制造研磨板的主要原因是球墨铸铁中的球形石墨在研磨过程中可以润滑：

研磨盘是研磨机的关键部件，不仅要保证研磨盘的表面几何精度和保持性，还要具有硬度分布均匀(硬度为-HB)、使用中易于修复等特点。研磨盘的研磨表面通常有沟槽，其作用是便于研磨浆料在研磨表面流动，研磨后便于取片。沟槽深度一般为10mm，宽度为1-2mm，相互垂直布置，沟槽间距取决于设备制造商的经验。

根据研磨机的原理，双面研磨机必须有三种基本运动：上下研磨板之间的相对旋转、行星车辆的旋转和绕组中心轮的旋转。设备结构中中中心轮的固定轴旋转是必要的，下研磨板内齿圈固定轴旋转是可选的。

双面研磨机的主要参数是研磨盘的直径(mm)、研磨区宽度(mm)、最大直径的研磨硅片(mm)、研磨最小/最大厚度(mm)、研磨最大压力(kgf)和中心轮的最大转速(r/min)等。

双面研磨工艺通常采用粗研和精研相结合的方法来提高硅片的研磨质量，其中粗研工艺采用磨料粒度较大的研磨浆料(磨料粒度约15m)、磨削压力大，磨削速度高，磨削去除率高，磨削后硅片表面粗糙度小于0.63m。

精研工艺采用磨料粒度较小的磨料浆料(磨料粒度约3-5m)、磨削压力低，磨削速度小，磨削去除率小，磨削后硅片表面粗糙度小于0.16m。

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