制造更先进技术节点的逻辑芯片、3D存储芯片架构和异构集成技术需要更多的工艺步骤，带来更高的晶圆制造材料和封装材料消耗需求。根据SEMI，年全球主要晶圆制造材料中，光刻胶及光刻胶辅助材料、湿电子化学品和CMP抛光材料增长最为强劲，其中CMP抛光材料和湿电子化学品市场规模分别增长15%和17%，主要受益于工艺步骤增加使得CMP抛光材料和湿电子化学品需求量增加。

（1）化学机械抛光液市场情况

化学机械抛光（CMP）是半导体先进制程中的关键技术，其主要工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下，被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求，每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面的高度（纳米级）平坦化效应，使下一步的光刻工艺得以进行。

随着制程节点的进步，CMP技术越来越重要，已成为0.35μm以下制程不可或缺的平坦化工艺，且随着多层布线的数量及密度增加，其对后续工艺良率的影响越来越大。此外，先进封装技术的应用使CMP从集成电路前道制造环节走向后道封装环节，如硅通孔（TSV）等先进封装技术对引线尺寸要求更小更细，因此会引入刻蚀、光刻等工艺，而CMP作为每道工艺间的抛光工序，得以广泛应用。

对于逻辑芯片，制程的缩小意味着光刻次数、刻蚀次数增加，也带动CMP工艺步骤数增加。例如14纳米技术节点的逻辑芯片制造工艺所要求的CMP工艺步骤数将由纳米技术节点的10次增加到20次以上，而7纳米及以下技术节点的逻辑芯片制造工艺所要求的CMP工艺步骤数甚至超过30次。

此外，更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料，为抛光液带来了更多的增长机会。同样地，对于存储芯片，随着由2DNAND向3DNAND演进的技术变革，也会使CMP工艺步骤数近乎翻倍，带动了钨抛光液及其他抛光液需求的持续快速增长。此外，更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料，为抛光液带来了更多的增长机会。同样地，对于存储芯片，随着由2DNAND向3DNAND演进的技术变革，也会使CMP工艺步骤数近乎翻倍，带动了钨抛光液及其他抛光液需求的持续快速增长。

数据来源：CabotMicroelectronics

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