用于集成电路的高纯度半导体硅和太阳能板的硅的产量逐年增加。在晶圆生产过程中，大约60%的硅，切边后的硅锭，随着切割和抛光的废水处理而报废。回收到高纯度硅的成本非常高。如果可以将硅泥转化为氮化物基结构陶瓷，将有助于解决半导体和光伏行业的生态问题。
生产过程中产生的不良硅晶圆和太阳能硅片都可以回收。通常，硅晶片具有形成在单个有效区域中的多个电子电路，针对每个电子电路切割，并作为半导体器件例如IC或LSI安装在家用电器或机器控制机构上。在IC或LSI等所希望的半导体装置的制造工序中，会产生使用过的测试晶片或不良晶片等不能使用的废硅片。因此，以往产生的废晶片，通过除膜、抛光、清洗等各工序，作为测试晶片再利用，或在废晶片、多晶太阳能电池的原料除膜后溶解，或作为陶瓷再利用。原料。硅片回收方法是将半导体器件制造过程中产生和丢弃的非标准硅片通过分选工艺分拣出来，并在化学加工工艺和物理加工工艺中对其表面进行修整。表面被刮掉了。然后，通过化学活化工艺将硅片表面活化，然后通过微波干燥工艺干燥，从而将非标准硅片重新用作太阳能电池的硅基板。
硅晶片包括表现出特性缺陷的太阳能电池单元、在硅晶片的表面层上形成的杂质层、以及在杂质层上形成的表面银电极膜和在包括抗反射膜、背面银电极膜和形成在硅片背面的铝电极层的太阳能电池中，通过氢氟酸处理去除抗反射膜和前后银电极膜的步骤；通过盐酸处理去除铝电极层的步骤依次或相反顺序进行后，进行通过硝酸和氢氟酸的混合溶液处理或氢氧化钠处理去除杂质层的步骤。然后，将表面去除了杂质层的硅晶片再次形成上述太阳能电池后再次使用，或者溶解再生为多晶锭，再次作为太阳能电池用硅基板再次使用。
在废硅片回收方法中，通过机械或化学处理从按照预设标准分类的废晶片上在脱膜过程中去除废晶片的膜。在废晶片回收方法中，废晶片的正反面通过镜面抛光工艺形成镜面，并通过对准工艺针对每个晶向对准并对准成圆柱形。接着，在废晶片回收方法中，通过将对齐的废晶片放入加热炉中并在°C至°C的范围内加热它们，从而使堆叠的废晶片的接触面彼此扩散结合。一个加热过程。因此，形成再生锭以获得接近单晶状态的类似单晶锭。
