抛光

更高VocHJT制绒清洗工艺如何优化全

发布时间:2024/12/6 11:48:37   
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北极星太阳能光伏网讯:在HJT异质结电池结构中,异质结及界面决定电池的最终特性。硅衬底是异质结界面的一部分,其品质是决定电池性能的关键因素之一。因此制绒清洗工序,需要优化电池的陷光性能,有效绒面结构可使入射光在表面进行多次反射和折射,延长光程,增加光生载流子;需要形成洁净表面,减少硅片表面不洁净而引入的缺陷和杂质,从而降低结界面处载流子的复合损失。制绒清洗为HJT制程首要工序,其主要目的为:利用KOH腐蚀液对N型硅片进行各项异性腐蚀,将Si()晶面腐蚀为Si()晶面的四方椎体结构(金字塔结构),即在硅片表面形成绒面,可将硅片表面反射率降低至12.5%以下,从而产生更多的光生载流子;形成洁净硅片表面,由于HJT电池中硅片衬底表面直接为异质结界面的一部分,故需形成洁净硅片表面,从而避免不洁净引进的缺陷和杂质而带来的结界面处载流子的复合。表1Jinergy制绒清洗工艺流程清洁的硅片表面和合理的织构化处理是获得高Voc的前提条件。Jinergy制绒清洗工艺流程见表1。首先使用SC1对原硅片表面进行清洗,主要去除硅片切割过程中引入的有机杂质、颗粒等污染。SC1药液,由于H2O2的作用,硅片表面有一层亲水性的自然氧化膜(SiO2),硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透,由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的。在NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。接着使用KOH溶液对硅片进行抛光处理,去除硅片表面切割过程中造成的损伤层。完全去除损伤层后,可大幅度降低硅片表面的界面态密度,减少硅片衬底的复合损失。影响抛光效果的主要因素为药液浓度、工艺温度、工艺时间等,可通过工艺参数调控抛光处理效果。制绒为核心清洗步骤,一般HJT电池均使用单晶硅片,单晶硅片一般使用KOH进行各向异性腐蚀,形成金字塔绒面。为保证绒面均匀可控,一般需要在添加剂辅助作用下进行工艺。在制绒工序,绒面大小为主要

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