化学机械抛光（CMP）是半导体先进制程中的关键技术，其主要工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下，被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求，每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面的高度（纳米级）平坦化效应，使下一步的光刻工艺得以进行。

CMP抛光材料按照类别的不同可以分为抛光液，抛光垫，调节器，清洁剂等。其中占比最大的是抛光液，而在抛光研磨中用到的另一种关键耗材则是抛光垫，在所有抛光材料中占比接近三分之一，抛光工艺的技术核心和价值核心均在抛光垫。

CMP抛光工艺考量标准

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CMP抛光液是CMP工艺抛光机、抛光液和抛光垫三大关键要素之一，其性能和相互匹配决定工艺水平。随着集成电路产业的不断向前推进，化学机械抛光技术的要求也越来越高，对CMP工艺使用的抛光材料提出了更高要求。

化学机械抛光液在CMP技术中至关重要，在抛光材料中价值占比约50%，其耗用量随着晶圆产量和CMP平坦化工艺步骤数增加而增加。根据应用的不同工艺环节，可以将抛光液分为硅/多晶硅抛光液，浅槽隔离（STI）抛光液，金属栅极抛光液，介电材料（二氧化硅、氮化硅）抛光液，钨抛光液，铜及铜阻挡层抛光液，以及用于三维集成的硅通孔（TSV）和混合键合抛光液等。

抛光液分类

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铜抛光液和钨抛光液主用于逻辑芯片和存储芯片制造过程，在10nm及以下技术节点中，钴将部分代替铜作为导线；硅抛光液主要用于硅晶圆初步加工过程中。

各类型抛光液主要应用领域

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据统计年我国CMP抛光液市场规模为5.25亿元，年市场规模增长至20.80亿元。

-年我国CMP抛光液市场规模走势图

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